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元件参数资料
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参数目录40329
> IRF6609TRPBF MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
型号:
IRF6609TRPBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRF6609TRPBF PDF
产品目录绘图
IR Hexfet Circuit
标准包装
1
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
31A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
2 毫欧 @ 31A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.45V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
69nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
6290pF @ 10V
功率 - 最大
1.8W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
DirectFET? 等容 MT
供应商设备封装
DIRECTFET? MT
包装
标准包装
其它名称
IRF6609TRPBFDKR
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